GaNウェーハ(窒化ガリウムウェーハ)
GaN(ガリウムナイトライド)は、シリコンやSiCと並ぶ次世代半導体材料として注目されています。特に、高周波領域での動作能力と高速スイッチング特性に優れており、通信分野や高効率パワーデバイスにおいて重要な役割を果たします。GaNはワイドバンドギャップ材料であり、低損失、高耐圧、さらには高温環境でも安定した動作を実現します。このため、5G通信技術、レーダーシステム、高周波増幅器、及び高効率の電力変換システムでの需要が急増しています。GaNウェーハの成長技術として、化学蒸着法や分子線エピタキシー(MBE)が多く使用されており、これらの方法は結晶品質や均一性に対する高い精度を要求します。
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