SiCウェーハ
（炭化ケイ素ウェーハ）

SiCウェーハ

サイズ タイプ オフ角度 グレード マイクロパイプ数 厚さ 表面加工仕上げ
5 mm × 5 mm 4H-P 2.0°～4.0° ± 0.5° ダミー <0.1 cm-2 350 ± 25 μm Si面：CMP仕上げ
C面：光学鏡面仕上げ（ミラー）
6H-P
3C-N <0001> ± 0.5°
10 mm × 10 mm 4H-P 2.0°～4.0° ± 0.5°
6H-P
3C-N <0001> ± 0.5°
2インチ 4H-P 2.0°～4.0° ± 0.5° ダミー <0.1 cm-2 350 ± 25 μm
6H-P
3C-N <0001> ± 0.5°
4インチ 4H-N 4° ± 0.5° プライム ≤0.2 cm-2 350 ± 25 μm
ダミー ≤10 cm-2
4H-半絶縁性 0° ± 0.2° プライム ≤0.2 cm-2 500 ± 25 μm
ダミー ≤10 cm-2
4H-P 2.0°～4.0° ± 0.5° ダミー ≤10 cm-2 350 ± 25 μm
6H-P <0.1 cm-2
3C-N <0001> ± 0.5°
6インチ 4H-N 4° ± 0.5° プライム ≤0.2 cm-2 350 ± 25 μm
プロダクション
ダミー ≤1 cm-2
4H-半絶縁性 0° ± 0.2° プライム 500 ± 25 μm
プロダクション ≤5 cm-2
ダミー ≤10 cm-2
8インチ 4H-N 4° ± 0.5° プライム ≤1 cm-2
プロダクション ≤5 cm-2
ダミー ≤5 cm-2

SiCインゴット

タイプ オフ角度 グレード マイクロパイプ数 厚さ 表面加工仕上げ
SiCインゴット 4インチ 4H-N 4° ± 0.5° ダミー ≤50 cm-2
  • 10～14.9 mm（厚さAタイプ）
  • 15～19.9 mm（厚さBタイプ）
  • 20～25 mm　（厚さCタイプ）

外周円形加工有り
1次･2次オリフラ有り
6インチ 4H-N
8インチ 4H-N

SiCエピタキシャルウェーハ

Size 6 inch
Conductivity N-type
Dopant Nitroger
Doping Calculation Method No-NA
Concentration Range 9E14-1E19/cm3
Tolerance ±12%
Uniformity 0.06
Thickness Range 0.2～50 μm
Tolerance ±8%
Uniformity 0.04
Defect Die Yield ≥95%
Scratches Cumulative Scratch Length ≤150 mm
Edge chips ≤0.5 mm
Backside Cleanliness 100% Clean
Surface Roughness (20 × 20 μm) ≤0.5 nm