Ga2O3 ウェーハ
（酸化ガリウムウェーハ）

Ga2O3（酸化ガリウム）は、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広い分野で応用されています。具体的には、電気自動車、太陽光発電用インバータ、高速鉄道の送電システムなどで使用されており、その他の分野でも大きな可能性を秘めています。

Ga₂O₃はバンドギャップ（禁制帯）幅が4.85eVに達し、可視光域での透過率に優れるため、ソーラーブラインド紫外線探査や放射線探査などの分野での応用が期待されています。
さらに、Ga2O3単結晶とGaN（窒化ガリウム）の低不整合特性を活かし、5G通信での応用が見込まれる高性能な高周波デバイスの製造において、GaNの成長基板として活用されています。

10 × 10 Ga2O3 方形基板

項目 仕様
結晶方位 （100）
ドーパント UID Sn Mg/Fe
抵抗率 1016～1017 cm-3 >1018 cm-3 ≥1010 Ω·cm
FWHM (arcsec) ≤150
転位密度 <1 × 105 cm-2
サイズ A～B C～D 厚み
10 mm 10.5 mm 0.5 (±0.02) mm
参照 長辺：[010]
表面 片面ミラー/両面ミラー
Ra < 0.5 nm
结晶面偏差 < ±1°

1インチ・2インチ Ga2O3 ウェーハ

項目 仕様
結晶方位 （100）
ドーパント UID Sn Mg/Fe
Nd-Na/抵抗率 1016～1017 cm-3 >1018 cm-3 ≥1010 Ω·cm
FWHM (arcsec) ≤150
転位密度 <1 × 105 cm-2
サイズ 直径 厚み
25.4/50.8 ± 0.5 mm 0.65 ± 0.02 mm
参照 [010]
表面 片面ミラー/両面ミラー
Ra < 0.5 nm
結晶面偏差 < ±1°

4インチ Ga2O3 ウェーハ

項目 仕様
結晶方位 （100）
ドーピング UID Sn Mg
Nd-Na/抵抗率 1016～1017 cm-3 >1018 cm-3 ≥1010 Ω·cm
FWHM (arcsec) ≤150
転位密度 < 1 × 105 cm-2
サイズ 直径 厚み
100.0 ± 0.5 mm 0.65 ± 0.02 mm
参照 [010]
表面 片面ミラー/両面ミラー
Ra < 0.5 nm
結晶面偏差 < ±1°

Ga2O3 種結晶

項目 仕様
結晶方位 長辺方向（100）
ドーピング UID/Fe/Mg
FWHM (arcsec) ≤150
転位密度 ≤2 × 104 cm-2
サイズ A～B C～D 長さ
4～7 mm 4～7 mm 30～100 mm
表面 切割面
結晶面偏差 < ±1°