複合ウェーハ

N型SiC複合ウェーハ
半絶縁SiC複合ウェーハ
N型SiC on Si複合ウェーハ
半絶縁SiC on Si複合ウェーハ
Si on SiC複合ウェーハ
Si on AlN複合ウェーハ
SOIウェーハ
300～900nm LiNbO3
単結晶薄膜（LNOI）
300～900nm LiTaO3
単結晶薄膜（LTOI）
Si基板5～50μm LT & LN 薄膜
20～60μm極薄、超平坦ウエハー
オーダーメイドLN & LT薄膜

N型SiC複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Front (Si-face) roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)
Type 4H Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Resistivity 0.015–0.025 Ω·cm TTV ≤3 μm
Transfer layer Thickness ≥0.4 μm Warp ≤35 μm
Void ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) Thickness 350 μm ± 25 μm

半絶縁SiC複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Front (Si-face) roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)
Type 4H Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Resistivity 0.015–0.025 Ω·cm TTV ≤3 μm
Transfer layer Thickness ≥0.4 μm Warp ≤35 μm
Void ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) Thickness 500 ± 25 μm

N型SiC on Si複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Si Orientation <111>/<100>/<110>
SiC Type 4H Si Type P/N
SiC Resistivity 0.015–0.025 Ω·cm Flat length 47.5 ± 1.5 mm
Transfer SiC layer Thickness ≥0.1 μm Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Void ≤5 ea/wafer (2 mm < D < 0.5 mm) TTV ≤5 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) Thickness 500/625/675 ± 25 μm

半絶縁SiC on Si複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm Si Orientation <111>/<100>/<110>
SiC Polytype 4H Si Type P/N
SiC Resistivity ≥1E8 Ω·cm Flat/Notch Flat/Notch
Transfer SiC layer Thickness ≥0.1 μm Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Void ≤5 ea/wafer (2 mm > D > 0.5 mm) TTV ≤5 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) Thickness 500/625/675 ± 25 μm

Si on SiC複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm SiC Type 4H
Si Orientation <111>/<100>/<110> SiC Resistivity 0.015–0.025/≥1E8 Ω·cm
Si Type P/N Flat/Notch Flat/Notch
Transfer Si layer Thickness ≥0.1 μm Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None
Void ≤5 ea / wafer (2 mm > D > 0.5 mm) TTV ≤5 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm) Thickness 350/500 ± 25 μm

Si on AlN複合ウェーハ

項目 仕様 項目 仕様
Diameter 150 ± 0.2 mm AlN Resistivity ≥1E8 Ω·cm
Si Orientation <111>/<100>/<110> AlN Thermal conductivity ≥180 W/m·K
Si Type P/N Flat length 47.5 ± 1.5 mm
Transfer Si layer Thickness ≥0.1 μm TTV ≤5 μm
Edge Chip, Scratch, Crack (visual inspection) None Thickness 625 ± 25 μm
Front roughness Ra ≤ 0.2 nm (5 μm × 5 μm)

SOIウェーハ

サイズ Inch 4 5 6 8 12
活性層 Unit 仕様
製法 - CZ/FZ
タイプ・導電型 - P/N/ノンドープ
結晶方位 - <100>/<111>/<110>
ドーパント - B、P、As、Sb
厚み μm ≧1.0
抵抗率 Ω･cm 0.001–10000
埋込み酸化膜 μm 0.05–10
支持基板 仕様
製法 - CZ/FZ
タイプ・導電型 - P/N/ノンドープ
結晶方位 - <100>/<111>/<110>
ドーパント - B、P、As、Sb
厚み μm JEITA・SEMI標準/200-1500
抵抗率 Ω･cm 0.001–10000
備考 詳細仕様は別途お問合せ下さい

300～900nm LiNbO3単結晶薄膜（LNOI）

● Lithium Niobate Thin Film

● SiO2

● Si, LN, Quartz, Fused Silica, etc.

トップ機能層 直径 3, 4, (6) インチ 方位 X, Z, Y 他
材料 LiNbO3 厚さ 300～900 nm
ドーピング（オプション） MgO
分離層 材料 SiO2 厚さ 1000～4000 nm
基板 材料 Si, LN, 水晶, 溶融石英 他
厚さ 400～500 μm
オプションの電極層 材料 Pt, Au, Cr 厚さ 100～400 nm
構造 SiO2分離層の上または下

300～900nm LiTaO3単結晶薄膜（LTOI）

● Lithium Tantalate Thin Film

● SiO2

● Silicon

トップ機能層 直径 3, 4, 6 インチ 方位 Y-42, Y-46.3, Z 他
材料 LiTaO3 厚さ 300～900 nm
分離層 材料 SiO2 厚さ 300～4000 nm
基板 材料 Si
厚さ 400～500 μm

Si基板5～50um LT & LN 薄膜

● Lithium Tantalate Thin Film

● Silicon

● Lithium Niobate Thin Film

● SiO2

● Silicon, Quartz, etc.

トップ機能層 直径 3, 4, 6 インチ 方位 Y-42, Y-46.3, Z 他
材料 LiTaO3 厚さ 300～900 nm
分離層 材料 SiO2 厚さ 300～4000 nm
基板 材料 Si
厚さ 400～500 μm

20～60μm極薄、超平坦ウエハー

● Lithium Tantalate Thin Film Or Lithium Niobate Thin Film

直径 3, 4 インチ 方位 X, Y, Z 他
厚さ 10～60 μm 材料 LN, LT, Si 他
表面 両面あるいは片面研磨

オーダーメイドLN & LT薄膜

トップ層/詳細 基板詳細 トップ層薄膜詳細
多層構造 電極&導波路パターン 異なる材料（SiO2/Si, Si, サファイア, 石英 他） PPLN 特殊サイズ 電極（Au, Pt, Cr, Al 他） 方位（バルクウエハーと同様） ドーピング（MgO, Fe, Er, Tm 他）
100～1000 nm LiNbO3 √ √ √ √ √ √ √ √
100～1500 nm LiTaO3 √ √ √ √ √ √ √
5～50 μm LiNbO3 √ √ √ √
5～50 μm LiTaO3 √ √ √ √