高性能・多用途対応のCVDダイヤモンド基板を各種取り揃えて提供しております。
CVDダイヤモンド基板(Chemical Vapor Depositionダイヤモンド基板)は、化学気相成長(CVD)法を用いて製造されるダイヤモンドの薄膜を基板として使用する材料です。CVD法では、ダイヤモンドをガス状態の炭素源(通常はメタン)を使用して化学反応によって基板上に成長させます。このプロセスにより、高品質のダイヤモンド薄膜を作り出すことができます。
各種サイズや仕様に応じて、高品質なCVD単結晶ダイヤモンド製品のカスタマイズが可能です。
製造方法 | CVD法 |
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最大寸法(mm) | 30.0 × 30.0 × 10.0 |
窒素含有量 | <50 ppm |
硬度(顕微硬度) | 80~150 GPa |
ヤング率 | 1150~1300 GPa |
摩擦係数 | 0.05~0.15 |
熱膨張係数 | 10-6·K-1 |
熱伝導率 | 1500~2300 W/(m·K) |
結晶方位 | 100/110/111 |
メイン面方向のミスカット | 3°± |
横方向許容差 | ±0.05 mm |
厚さの許容 | ±0.1 mm |
表面粗さ | <10 nm |
エッジカッティング | レーザー切断 |
屈折率(1064 nm) | 2.392 |
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屈折率(600 nm) | 2.415 |
透過率(1064 nm) | >68% |
透過率(8 μm~25 μm) | >70% |
熱伝導率 | >2000 W/mK |
結晶方位 | 100/110/111 |
メイン面方向のミスカット | 3°± |
横方向許容差 | ±0.05 mm |
厚さの許容 | ±0.1 mm |
平行度 | <2′ |
表面粗さ | <10 nm |
エッジカッティング | レーザー切断 |