ワイドギャップ半導体材料研磨

材質

SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム）、サファイア　ウェーハ等

仕様

2、3、4及び6インチウェーハ

• SBIR ≦ 1μm
• GBIR ≦ 2μm
• Ra ≦ 0.1nm以下

品質

最先端検査装置による品質保証

• Candela
• NIDEK
• AFM
• TXRF
• Edge　Profiler

特色

高平坦性と重金属フリー洗浄

• 基板研磨
• エピ成長ウェーハ裏面研磨
• パターン付きウェーハ研磨 （面取+裏面研磨+重金属フリー洗浄）
• 使用済みウェーハ再生研磨
• 面取り及びレーザーマーキング